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详细参数
型号:IXTQ16N50P
类别:FET - 单
制造商:IXYS
封装:TO-3P-3,SC-65-3
描述:MOSFET N-CH 500V 16A TO-3P
系列:PolarHV™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:500V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:16A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:400 毫欧 @ 8A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:5.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:43nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2250pF @ 25V
功率_最大:300W
安装类型:通孔
封装__外壳:TO-3P-3,SC-65-3
供应商设备封装:TO-3P
包装:管件
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厂 商:IXYS [ IXYS CORPORATION ]
描 述:High Voltage MOSFET
大 小:554K
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IXTQ16N50P
IXYS
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355
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IXYS/艾赛斯
23+
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IXTQ16N50P
IXYS/艾赛斯
15+16+
12000
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IXYS
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1675
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