型号:IXTP6N100D2
类别:FET - 单
制造商:IXYS
封装:TO-220-3
描述:MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:耗尽模式
漏极至源极电压333Vdss444:1000V(1kV)
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:2.2 欧姆 @ 3A,0V
Id时的Vgs333th444111最大222:-
闸电荷333Qg4440a0Vgs:95nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2650pF @ 25V
功率_最大:300W
安装类型:通孔
封装__外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220AB
包装:管件
厂 商:IXYS [ IXYS CORPORATION ]
描 述:High Voltage MOSFET
大 小:554K