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详细参数
型号:IXTP2N100
类别:FET - 单
制造商:IXYS
封装:TO-220-3
描述:MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220AB
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:1000V(1kV)
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:7 欧姆 @ 1A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:40nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:825pF @ 25V
功率_最大:100W
安装类型:通孔
封装__外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220AB
包装:管件
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厂 商:IXYS [ IXYS CORPORATION ]
描 述:High Voltage MOSFET
大 小:554K
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IXTP2N100
IXYS
19+
355
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IXTP2N100
IXYS/LITTELFUSE
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IXTP2N100
IXYS/艾赛斯
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IXTP2N100
IXYS/LITTELFUSE
2005
1000
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IXTP2N100
Littelfuse Inc.
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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