IXTP01N100D参数(2020年),IXTP01N100D中文资料,IXTP01N100D供应商,IXTP01N100D最新价格,IXTP01N100D货源信息,pdf资料【51电子网】

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详细参数

型号：IXTP01N100D

类别：FET - 单

制造商：IXYS

封装：TO-220-3

描述：MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB

系列：-

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：耗尽模式

漏极至源极电压333Vdss444：1000V（1kV）

电流_连续漏极333Id4440a025000C：100mA

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：110 欧姆 @ 50mA，0V

Id时的Vgs333th444111最大222：-

闸电荷333Qg4440a0Vgs：-

输入电容333Ciss4440a0Vds：120pF @ 25V

功率_最大：1.1W

安装类型：通孔

封装__外壳：TO-220-3

供应商设备封装：TO-220

包装：管件

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厂商：IXYS [ IXYS CORPORATION ]

描述：High Voltage MOSFET

大小：52K

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