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型号:  厂家:  批号:  封装:  精确搜索 
详细参数
型号:IXTA05N100
类别:FET - 单
制造商:IXYS
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
描述:MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:1000V(1kV)
电流_连续漏极333Id4440a025000C:750mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:17 欧姆 @ 375mA,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:7.8nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:260pF @ 25V
功率_最大:40W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:TO-263
包装:管件
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厂 商:IXYS [ IXYS CORPORATION ]
描 述:High Voltage MOSFET
大 小:554K
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查询更多IXTA05N100P供应信息         发布时间:2025/8/19 15:35:00

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