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详细参数
型号:IXFV110N10P
类别:FET - 单
制造商:IXYS
封装:TO-220-3(SMT)标片
描述:MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220
系列:PolarHT™ HiPerFET™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:110A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫欧 @ 500mA,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:5V @ 4mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:110nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:3550pF @ 25V
功率_最大:480W
安装类型:通孔
封装__外壳:TO-220-3(SMT)标片
供应商设备封装:PLUS220
包装:散装
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厂 商:IXYS [ IXYS CORPORATION ]
描 述:Trench Gate Power HiperFET
大 小:195K
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