型号：IXFT10N100
类别：FET - 单
制造商：IXYS
封装：TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
描述：MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268
系列：HiPerFET™
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：1000V（1kV）
电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 5A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：4.5V @ 4mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：155nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：4000pF @ 25V
功率_最大：300W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
供应商设备封装：TO-268
包装：管件
厂 商：IXYS [ IXYS CORPORATION ]
描 述：Trench Gate Power MOSFET HiperFET
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