型号:IXFT23N60Q
类别:FET - 单
制造商:IXYS
封装:TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
描述:MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)
系列:HiPerFET™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:600V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:23A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:320 毫欧 @ 500mA,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4.5V @ 4mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:90nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:3300pF @ 25V
功率_最大:400W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
供应商设备封装:TO-268
包装:散装
厂 商:IXYS [ IXYS CORPORATION ]
描 述:Trench Gate Power MOSFET HiperFET
大 小:229K