型号:IXFQ10N80P
类别:FET - 单
制造商:IXYS
封装:TO-3P-3,SC-65-3
描述:MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P
系列:PolarHV™ HiPerFET™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:800V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:10A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:1.1 欧姆 @ 5A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:5.5V @ 2.5mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:40nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2050pF @ 25V
功率_最大:300W
安装类型:通孔
封装__外壳:TO-3P-3,SC-65-3
供应商设备封装:TO-3P
包装:管件
厂 商:IXYS [ IXYS CORPORATION ]
描 述:Trench Gate Power MOSFET HiperFET
大 小:229K