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详细参数
型号:IXFN100N10S1
类别:FET
制造商:IXYS
封装:SOT-227-4,miniBLOC
描述:MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
系列:HiPerFET™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:100A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫欧 @ 500mA,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4V @ 4mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:180nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:4500pF @ 25V
功率_最大:360W
安装类型:底座安装
封装__外壳:SOT-227-4,miniBLOC
供应商设备封装:SOT-227B
包装:管件
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厂 商:IXYS [ IXYS CORPORATION ]
描 述:Trench Gate Power MOSFET HiperFET
大 小:229K
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主營產品:FPGA/FBGA、驅動器、處理器、存儲系列、DSP、可編程門陣、運算放大器、轉換器、二次電源/模塊、熔斷器、輸入與非門、接收器、計時器 產品範圍:軍工級IC、宇航級IC、禁運IC、工業級IC、軍用二三極管、與DC轉換模塊等 應用領域:航空航天、船舶、汽車電子、軍用計算機設備、醫療電子、通信網絡、大型工業設備、電力工業等 主營品牌: 賽靈思(XILINX/AMD)、阿爾特拉(ALTERA/INTEL)、美高森美(Microsemi/ACTEL)、英特矽爾(INTERSIL)
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公司优势产品销售:XILINX(赛灵思)、ALTERA(阿特拉)、美信(MAXIM)、三星(SAMSUNG)。 分销其他世界各名牌IC有:英特尔(Intel) 、德州仪器(TI) 、飞利浦(Philips) 、海力士(Hynix) 、美国仿真器件(ADI) 、国际整流器(IR)、台湾硅成(ICSI)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、惠普(HP)、安捷伦(Agilent)、达拉斯(Dallas)、纳斯达克(altera)、赛普拉斯(CY)、日立(Hitachi)、哈利斯(Harrsi)、英赛尔(Intersil)、美国集成器件(IDT)、芯成(ISSI)、凌特(Linear)、美国LSI逻辑公司(LSI)、微芯(Microchip)、三菱(Mitsubishi)、美国国家半导体(NS)、日本冲电气(OKI)、三洋(Sanyo)、索尼(Sony)等…. 长期供货。全新原装进口。
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查询更多IXFN60N50L2供应信息         发布时间:2025/5/15 16:50:00

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