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详细参数
型号:IXFN100N10S1
类别:FET
制造商:IXYS
封装:SOT-227-4,miniBLOC
描述:MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
系列:HiPerFET™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:100A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫欧 @ 500mA,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4V @ 4mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:180nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:4500pF @ 25V
功率_最大:360W
安装类型:底座安装
封装__外壳:SOT-227-4,miniBLOC
供应商设备封装:SOT-227B
包装:管件
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厂 商:IXYS [ IXYS CORPORATION ]
描 述:Trench Gate Power MOSFET HiperFET
大 小:229K
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