型号:IXFN30N110P
类别:FET
制造商:IXYS
封装:SOT-227-4,miniBLOC
描述:MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
系列:Polar™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:1100V(1.1kV)
电流_连续漏极333Id4440a025000C:25A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:360 毫欧 @ 15A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:6.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:235nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:13600pF @ 25V
功率_最大:695W
安装类型:底座安装
封装__外壳:SOT-227-4,miniBLOC
供应商设备封装:SOT-227B
包装:管件
厂 商:IXYS [ IXYS CORPORATION ]
描 述:Trench Gate Power MOSFET HiperFET
大 小:229K