型号:IXFA6N120P
类别:FET - 单
制造商:IXYS
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
描述:MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK
系列:Polar™ HiPerFET™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:1200V(1.2kV)
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:2.4 欧姆 @ 500mA,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:92nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2830pF @ 25V
功率_最大:250W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:TO-263(D2Pak)
包装:管件
厂 商:IXYS [ IXYS CORPORATION ]
描 述:Trench Gate Power MOSFET HiperFET
大 小:229K