型号:IXFA4N100P
类别:FET - 单
制造商:IXYS
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
描述:MOSFET N-CH 1000V 4A D2PAK
系列:Polar™ HiPerFET™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:1000V(1kV)
电流_连续漏极333Id4440a025000C:4A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:3.3 欧姆 @ 2A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1456pF @ 25V
功率_最大:150W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:TO-263(D2Pak)
包装:管件
厂 商:IXYS [ IXYS CORPORATION ]
描 述:Polar HiPerFET Power MOSFET
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