型号:IRLHS6276TR2PBF
类别:FET - 阵列
制造商:International Rectifier
封装:6-PowerVQFN
描述:MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN
系列:HEXFET®
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫欧 @ 3.4A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:1.1V @ 10µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.1nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:310pF @ 10V
功率_最大:1.5W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:6-PowerVQFN
供应商设备封装:6-PQFN(2x2)
包装:带卷 (TR)
厂 商:IRF [ International Rectifier ]
描 述:HEXFET Power MOSFET
大 小:235K