型号:IRLHS6242TR2PBF
类别:FET - 单
制造商:International Rectifier
封装:6-PowerVDFN
描述:MOSFET N-CH 20V 10A PQFN
系列:HEXFET®
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:10A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:11.7 毫欧 @ 8.5A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:1.1V @ 10µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1110pF @ 10V
功率_最大:1.98W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:6-PowerVDFN
供应商设备封装:6-PQFN(2x2)
包装:Digi-Reel®
厂 商:IRF [ International Rectifier ]
描 述:HEXFET Power MOSFET
大 小:230K