型号:IRLHM620TR2PBF
类别:FET - 单
制造商:International Rectifier
封装:8-VQFN 裸露焊盘
描述:MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
系列:HEXFET®
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:26A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:2.5 毫欧 @ 20A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:1.1V @ 50µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:78nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:3620pF @ 10V
功率_最大:2.7W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-VQFN 裸露焊盘
供应商设备封装:PQFN(3x3)
包装:Digi-Reel®
厂 商:EVERLIGHT [ EVERLIGHT ELECTRONICS CO., LTD ]
描 述:5mm Infrared LED , T-1 3/4
大 小:188K