型号:IRLD024PBF
类别:FET - 单
制造商:Vishay Siliconix
封装:4-DIP(0.300",7.62mm)
描述:MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫欧 @ 1.5A,5V
Id时的Vgs333th444111最大222:2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:870pF @ 25V
功率_最大:1.3W
安装类型:通孔
封装__外壳:4-DIP(0.300",7.62mm)
供应商设备封装:4-DIP,Hexdip,HVMDIP
包装:管件
厂 商:IRF [ International Rectifier ]
描 述:HEXFET㈢ Power MOSFET
大 小:1783K