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详细参数
型号:IRFU9120N
类别:FET - 单
制造商:International Rectifier
封装:TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
描述:MOSFET P-CH 100V 6.6A I-PAK
系列:HEXFET®
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:480 毫欧 @ 3.9A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 25V
功率_最大:40W
安装类型:通孔
封装__外壳:TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
供应商设备封装:I-Pak
包装:管件
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厂 商:IRF [ International Rectifier ]
描 述:Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.48ohm, Id=-6.6A)
大 小:120K
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IRFU9120N
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IRFU9120N
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上海齐创科技有限公司(上海青岛北京)
上海齐创科技有限公司(上海青岛北京)  蓝钻会员
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主要从事美国微芯(MICROCHIP).ADI、爱特梅尔(Atmel)、 TI(BB) 、ALTERA、 美信Maxim(Dallas)、安森美(ON)、 恩智浦NXP(Philips)、仙童(Fairchild)、 三星(SAMSUNG)、现代(Hynix)、 IR、 Microchip、 飞思卡尔Freescal(Motorola)、 国半(NSC)、威士(Vishay)、ST、索尼SONY(CCD镜像)、EXAR、夏普(SHARP)、SIPEX、 凌特(LINEAR)、POWER、 哈里斯(Harris)、莱迪斯(Lattice)、 英特尔(Intel)、SIRENZA(放大器)、 MINI微波器件和滤波器件、 三菱(MITSUBISHI)、 富士(FUSI)、 东芝(TOSHIBA)、 三社(SANREX)、 三垦(SANKEN)、 西门子(SIEMENS)、 西门康(SEMIKRON)、 日立(HITACHI)、 艾赛斯(IXYS)、 英飞凌(INFINEON)等世界知名品牌的IC和功率模块 GTR、IGBT、IPM、PIM可控硅 整流桥 二极管等,涵盖通信、半导体、仪器仪表、航天航空、计算机及周边产品、消费类电子等广泛领域。
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21620
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