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详细参数

型号：IRFS11N50A

类别：FET - 单

制造商：Vishay Siliconix

封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

描述：MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK

系列：-

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：500V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：520 毫欧 @ 6.6A，10V

Id时的Vgs333th444111最大222：4V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：52nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：1423pF @ 25V

功率_最大：170W

安装类型：表面贴装

封装__外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商设备封装：D2PAK

包装：管件

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厂商：IRF [ International Rectifier ]

描述：SMPS MOSFET HEXFET Power MOSFET

大小：291K

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