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型号:  厂家:  批号:  封装:  精确搜索 
详细参数
型号:IRFSL23N20D
类别:FET - 单
制造商:International Rectifier
封装:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
描述:MOSFET N-CH 200V 24A TO-262
系列:HEXFET®
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:200V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:24A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫欧 @ 14A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:5.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:86nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1960pF @ 25V
功率_最大:3.8W
安装类型:通孔
封装__外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装:TO-262
包装:管件
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厂 商:IRF [ International Rectifier ]
描 述:Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.10ohm, Id=24A)
大 小:201K
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