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详细参数
型号：IRFS11N50A
类别：FET - 单
制造商：Vishay Siliconix
封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
描述：MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
系列：-
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：500V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：520 毫欧 @ 6.6A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：52nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：1423pF @ 25V
功率_最大：170W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装：D2PAK
包装：管件
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厂 商：IRF [ International Rectifier ]
描 述：Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A)
大 小：138K
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IC0370
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