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详细参数

型号：IRFR010

类别：FET - 单

制造商：Vishay Siliconix

封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

描述：MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK

系列：HEXFET®

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：50V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.2A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 4.2A，10V

Id时的Vgs333th444111最大222：4V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V

功率_最大：25W

安装类型：表面贴装

封装__外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商设备封装：D-Pak

包装：管件

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厂商：VISAY [ Vishay Siliconix ]

描述：Inductors Epoxy Conformal Coated Uniform Roll Coated

大小：76K

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