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详细参数
型号:IRFIBF20G
类别:FET - 单
制造商:Vishay Siliconix
封装:TO-220-3 全封装,隔离接片
描述:MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220FP
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:900V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.2A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:8 欧姆 @ 720mA,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:490pF @ 25V
功率_最大:30W
安装类型:通孔
封装__外壳:TO-220-3 全封装,隔离接片
供应商设备封装:TO-220-3
包装:管件
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厂 商:IRF [ International Rectifier ]
描 述:Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=8.0ohm, Id=1.2A)
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