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详细参数

型号：IRFIBC30G

类别：FET - 单

制造商：Vishay Siliconix

封装：TO-220-3 全封装，隔离接片

描述：MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220FP

系列：-

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：600V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.5A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：2.2 欧姆 @ 1.5A，10V

Id时的Vgs333th444111最大222：4V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：660pF @ 25V

功率_最大：35W

安装类型：通孔

封装__外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片

供应商设备封装：TO-220-3

包装：管件

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厂商：IRF [ International Rectifier ]

描述：Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=2.5A)

大小：173K

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