型号:IRFH7911TR2PBF
类别:FET - 阵列
制造商:International Rectifier
封装:18-PowerVQFN
描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 5X6 PQFN
系列:HEXFET®
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:13A,28A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:8.6 毫欧 @ 12A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.35V @ 25µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1060pF @ 15V
功率_最大:2.4W,3.4W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:18-PowerVQFN
供应商设备封装:PQFN(5x6)
包装:剪切带 (CT)
厂 商:VISAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:Inductors Epoxy Conformal Coated Uniform Roll Coated
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