型号:IRFH5302DTRPBF
类别:FET - 单
制造商:International Rectifier
封装:8-VQFN
描述:MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN
系列:HEXFET®
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:29A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:2.5 毫欧 @ 50A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.35V @ 100µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:55nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:3635pF @ 25V
功率_最大:3.6W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-VQFN
供应商设备封装:PQFN(5x6)单芯片焊盘
包装:带卷 (TR)
厂 商:VISAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:Inductors Epoxy Conformal Coated Uniform Roll Coated
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