型号：IRFH3702TR2PBF
类别：FET - 单
制造商：International Rectifier
封装：8-PowerVDFN
描述：MOSFET N-CH 30V 16A PQFN33
系列：HEXFET®
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：16A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：7.1 毫欧 @ 16A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：2.35V @ 25µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：1510pF @ 15V
功率_最大：2.8W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：8-PowerVDFN
供应商设备封装：PQFN（3x3）单芯片焊盘
包装：剪切带 (CT)
厂 商：VISAY [ Vishay Siliconix ]
描 述：Inductors Epoxy Conformal Coated Uniform Roll Coated
大 小：76K
