型号：IRFD010
类别：FET - 单
制造商：Vishay Siliconix
封装：4-DIP（0.300"，7.62mm）
描述：MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP
系列：HEXFET®
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：50V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.7A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 860mA，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V
功率_最大：1W
安装类型：通孔
封装__外壳：4-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商设备封装：4-DIP，Hexdip，HVMDIP
包装：管件
厂 商：VISAY [ Vishay Siliconix ]
描 述：Inductors Epoxy Conformal Coated Uniform Roll Coated
大 小：76K
QQ：870509204 复制
