型号:IRFBE30LPBF
类别:FET - 单
制造商:Vishay Siliconix
封装:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
描述:MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:800V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.1A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:3 欧姆 @ 2.5A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:78nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 25V
功率_最大:125W
安装类型:通孔
封装__外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装:I2PAK
包装:管件
厂 商:IRF [ International Rectifier ]
描 述:HEXFET Power MOSFET
大 小:602K