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详细参数
型号:IRF9510S
类别:FET - 单
制造商:Vishay Siliconix
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
描述:MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
系列:-
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:4A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 欧姆 @ 2.4A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.7nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:200pF @ 25V
功率_最大:3.7W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:D2PAK
包装:管件
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厂 商:IRF [ International Rectifier ]
描 述:Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-4.0A)
大 小:180K
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