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详细参数

型号：IRF8513PBF

类别：FET - 阵列

制造商：International Rectifier

封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC

系列：-

FET型：2 个 N 沟道（双）

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A，11A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：15.5 毫欧 @ 8A，10V

Id时的Vgs333th444111最大222：2.35V @ 25µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.6nC @ 4.5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：766pF @ 15V

功率_最大：1.5W，2.4W

安装类型：表面贴装

封装__外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商设备封装：8-SO

包装：管件

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厂商：IRF [ International Rectifier ]

描述：HEXFET Power MOSFET

大小：350K

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15+

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23+

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2023+

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