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详细参数
型号:IRF8010PBF
类别:FET - 单
制造商:International Rectifier
封装:TO-220-3
描述:MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
系列:HEXFET®
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:80A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫欧 @ 45A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:120nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:3830pF @ 25V
功率_最大:260W
安装类型:通孔
封装__外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220AB
包装:管件
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厂 商:VISAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:Inductors Epoxy Conformal Coated Uniform Roll Coated
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查询更多IRF840PBF-Philippines供应信息         发布时间:1970/1/1 8:00:00

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