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详细参数
型号:IRF820AS
类别:FET - 单
制造商:Vishay Siliconix
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
描述:MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:500V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:3 欧姆 @ 1.5A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:340pF @ 25V
功率_最大:50W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:D2PAK
包装:管件
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厂 商:IRF [ International Rectifier ]
描 述:Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=3.0ohm, Id=2.5A)
大 小:136K
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