型号:IRF7465
类别:FET - 单
制造商:International Rectifier
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
描述:MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC
系列:HEXFET®
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:150V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.9A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:280 毫欧 @ 1.14A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:5.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:330pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SO
包装:管件
厂 商:IRF [ International Rectifier ]
描 述:Power MOSFET(Vdss=150V, Id=1.9A)
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