型号:IRF7313PBF
类别:FET - 阵列
制造商:International Rectifier
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
描述:MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
系列:HEXFET®
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:29 毫欧 @ 5.8A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:33nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 25V
功率_最大:2W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SO
包装:管件
厂 商:IRF [ International Rectifier ]
描 述:HEXFET Power MOSFET
大 小:210K