型号:IRF6711STR1PBF
类别:FET - 单
制造商:International Rectifier
封装:DirectFET? 等容 SQ
描述:MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ
系列:HEXFET®
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:25V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:19A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:3.8 毫欧 @ 19A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.35V @ 25µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1810pF @ 13V
功率_最大:2.2W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:DirectFET? 等容 SQ
供应商设备封装:DIRECTFET? SQ
包装:Digi-Reel®
厂 商:VISAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:Inductors Epoxy Conformal Coated Uniform Roll Coated
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