型号:IRF6702M2DTRPBF
类别:FET - 阵列
制造商:International Rectifier
封装:DirectFET? 等容 MA
描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
系列:HEXFET®
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:15A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:6.6 毫欧 @ 15A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.35V @ 25µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1380pF @ 15V
功率_最大:2.7W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:DirectFET? 等容 MA
供应商设备封装:DIRECTFET? MA
包装:带卷 (TR)
厂 商:VISAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:Inductors Epoxy Conformal Coated Uniform Roll Coated
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