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详细参数
型号:IRF6691TR1
类别:FET - 单
制造商:International Rectifier
封装:DirectFET? 等容 MT
描述:MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
系列:HEXFET®
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:32A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 毫欧 @ 15A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:71nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:6580pF @ 10V
功率_最大:2.8W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:DirectFET? 等容 MT
供应商设备封装:DIRECTFET? MT
包装:带卷 (TR)
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厂 商:VISAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:Inductors Epoxy Conformal Coated Uniform Roll Coated
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1: 为客户提供产品的配单、订购业务;并支持小批量订购. 2: 提供大量的原装现货库存,国外现货5-7天到深圳 3: 为客户助寻偏门.冷门.紧缺.军工级及停产器件, 服务领域: 公司关注高端产品路线,产品广泛应用于通讯网络、航空航天、军事设备、医疗机械、精密仪器、工控等领域 品牌推广: AD、ATMEL、ALTERA、XILINX、TI、FAIRCHILD、ST、PHILIPS、freescale、IR、ON、NSC、VISHAY、
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