型号:IRF6621
类别:FET - 单
制造商:International Rectifier
封装:DirectFET? 等容 SQ
描述:MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
系列:HEXFET®
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:12A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:9.1 毫欧 @ 12A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.25V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:17.5nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1460pF @ 15V
功率_最大:2.2W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:DirectFET? 等容 SQ
供应商设备封装:DIRECTFET? SQ
包装:带卷 (TR)
厂 商:IRF [ International Rectifier ]
描 述:The IRF6621 combines the latest HEXFET Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFET packaging to achieve the lowest on-state resistance
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