型号:IRF6601
类别:FET - 单
制造商:International Rectifier
封装:DirectFET? 等容 MT
描述:MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET
系列:HEXFET®
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:26A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:3.8 毫欧 @ 26A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:3440pF @ 15V
功率_最大:3.6W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:DirectFET? 等容 MT
供应商设备封装:DIRECTFET? MT
包装:剪切带 (CT)
厂 商:IRF [ International Rectifier ]
描 述:DirectFET⑩ Power MOSFET(Vdss=20V)
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