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详细参数

型号：IRF610

类别：FET - 单

制造商：Vishay Siliconix

封装：TO-220-3

描述：MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB

系列：-

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：200V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.3A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 欧姆 @ 2A，10V

Id时的Vgs333th444111最大222：4V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V

功率_最大：36W

安装类型：通孔

封装__外壳：TO-220-3

供应商设备封装：TO-220AB

包装：管件

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厂商：FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]

描述：N-Channel Power MOSFETs, 18A, 150-200V

大小：144K

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1: 为客户提供产品的配单、订购业务；并支持小批量订购. 2: 提供大量的原装现货库存,国外现货5-7天到深圳 3: 为客户助寻偏门.冷门.紧缺.军工级及停产器件, 服务领域: 公司关注高端产品路线，产品广泛应用于通讯网络、航空航天、军事设备、医疗机械、精密仪器、工控等领域品牌推广: AD、ATMEL、ALTERA、XILINX、TI、FAIRCHILD、ST、PHILIPS、freescale、IR、ON、NSC、VISHAY、

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♦JST、Infineon、MITSUBISHI、AMBARELLA、Fujitsu、NXP、FREESCALE、ADI、RENESAS、TOSHIBA、TI、AVAGO 、ON 、Samsung 等进口品牌芯片。 ♦共模电感、晶振、电容电阻、二三极管、模块等电子配套

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