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详细参数
型号:IRF610
类别:FET - 单
制造商:Vishay Siliconix
封装:TO-220-3
描述:MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:200V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:1.5 欧姆 @ 2A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.2nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:140pF @ 25V
功率_最大:36W
安装类型:通孔
封装__外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220AB
包装:管件
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厂 商:ST [ STMICROELECTRONICS ]
描 述:N-CHANNEL 200V - 0.35W - 9A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY MOSFET
大 小:351K
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