型号:IRF5803D2
类别:FET - 单
制造商:International Rectifier
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
描述:MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
系列:FETKY™
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:二极管(隔离式)
漏极至源极电压333Vdss444:40V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.4A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:112 毫欧 @ 3.4A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:37nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1110pF @ 25V
功率_最大:2W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SO
包装:管件
厂 商:IRF [ International Rectifier ]
描 述:FETKY⑩ MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-40V, Rds(on)=112ohm)
大 小:130K