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详细参数
型号：IRF3709
类别：FET - 单
制造商：International Rectifier
封装：TO-220-3
描述：MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB
系列：HEXFET®
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：90A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫欧 @ 15A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：2672pF @ 16V
功率_最大：3.1W
安装类型：通孔
封装__外壳：TO-220-3
供应商设备封装：TO-220AB
包装：管件
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厂 商：IRF [ International Rectifier ]
描 述：Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=90A)
大 小：124K
相关型号
INS8154NV
IRF5303STR
ICS844004BGI-01LFT
ITG4045
IBM32R6475-ESD-PQ
ISL9V3040P3_Q
IR236C
IXTR16P60P
IDT74FCT762511CTPV
IRFR224ATM
IR9306
IDT723612L30
IRF7416TRPBFIR
IS43R83200D-4TL
INTELR8028612
INTELR80286-12
IL766-4407
IDT70V18S20PF
ISPLISPLSI2032A-110LJ
IMC3383M8
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主营业务： 经营业务:电阻,电容、二三极管，晶振，世界各名厂IC， 模块， 我们所销售产品涉及：Xilinx、 ALTERA（阿特拉 ） 美国仿真器件（ADI）、Freescale(飞思卡尔） 英特尔（Intel） 、德州仪器（TI） 、飞利浦（Philips） 、海力士（Hynix） 、ATMEL（爱特梅尔） STC单片机 国际整流器（IR）、台湾硅成（ICSI）、三星（Samsung）、瑞萨（Renesas）、东芝（Toshiba）、意法（ST）、摩托罗拉（Motorola）、仙童（Fairchid）、美国美商半导体（AMD）、爱特梅尔（Atmel）、惠普（HP）、安捷伦（Agilent）、达拉斯（Dallas）、美信（Maxim）、纳斯达克（Altera）、赛普拉斯（CY）、日立（Hitachi）、Broadcom、哈利斯（Harrsi）、英赛尔（Intersil）、美国集成器件（IDT）、芯成（ISSI）、凌特（Linear）、美国LSI逻辑公司（LSI）、微芯（Microchip）、三菱（Mitsubishi）、美国国家半导体（NS）、日本冲电气（OKI）、Realtek、罗姆（Rohm）、三洋（Sanyo）、索尼（Sony）等…
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