型号:IRF1018ESPBF
类别:FET - 单
制造商:International Rectifier
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
描述:MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
系列:HEXFET®
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:79A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:8.4 毫欧 @ 47A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4V @ 100µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:69nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2290pF @ 50V
功率_最大:110W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:D2PAK
包装:管件
厂 商:IRF [ International Rectifier ]
描 述:HEXFET Power MOSFET
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