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详细参数

型号：IRF1010NL

类别：FET - 单

制造商：International Rectifier

封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

描述：MOSFET N-CH 55V 85A TO-262

系列：HEXFET®

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：55V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：85A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫欧 @ 43A，10V

Id时的Vgs333th444111最大222：4V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：3210pF @ 25V

功率_最大：180W

安装类型：通孔

封装__外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

供应商设备封装：TO-262

包装：管件

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厂商：IRF [ International Rectifier ]

描述：Power MOSFET(Vdss = 55 V, Rds(on)=11mohm, Id=85A)

大小：150K

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