型号:IPP80CN10N G
类别:FET - 单
制造商:Infineon Technologies
封装:TO-220-3
描述:MOSFET N-CH 100V 13A TO-220
系列:OptiMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:13A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:80 毫欧 @ 13A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4V @ 12µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:716pF @ 50V
功率_最大:31W
安装类型:通孔
封装__外壳:TO-220-3
供应商设备封装:PG-TO220-3
包装:管件
厂 商:INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述:OptiMOS-P2 Power-Transistor
大 小:318K