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型号：  厂家：  批号：  封装：  精确搜索 
详细参数
型号：IPP200N15N3 G
类别：FET - 单
制造商：Infineon Technologies
封装：TO-220-3
描述：MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
系列：OptiMOS™
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：150V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：50A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 50A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：4V @ 90µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：1820pF @ 75V
功率_最大：150W
安装类型：通孔
封装__外壳：TO-220-3
供应商设备封装：PG-TO220-3
包装：管件
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厂 商：INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述：OptiMOS?3 Power-Transistor
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ISC-181247UH20
ITB4102R28-09S
IF510
IRFBE30STRRNBSP
IRKVF81-02DM
ID7201SA120P
ICL7552CPD
IE-780034-ASSEMB
IE780034-ASSEMB
IDT23S09-1DCGI8
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INFINEON
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公司代理及经销品牌的产品广泛应用于通信、仪器仪表、工业控制、消费电子等诸多领域，并可为您提供军品级、工业品级偏冷门和已停产器件。
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