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详细参数
型号:IPP100N04S2-04
类别:FET - 单
制造商:Infineon Technologies
封装:TO-220-3
描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
系列:OptiMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:40V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:100A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:3.6 毫欧 @ 80A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:172nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:5300pF @ 25V
功率_最大:300W
安装类型:通孔
封装__外壳:TO-220-3
供应商设备封装:PG-TO220-3
包装:管件
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厂 商:INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述:OptiMOS?3 Power-Transistor
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